三极管是流控型器件，通过电流控制三极管的工作区，而MOSFET与之相对是压控型器件 ... t4:Vd电压降低为：Id*Rds(on)，MOS开始进入饱和区，此时Vd不再受传输特性限制（与Id有关），并开始自由增加。到达t4时间点，Vg电压达到gate电流源电压。在此阶段，Vgs正比 ...