香港知名科技媒体南华早报报道：美国对中国芯片产业的限制愈演愈烈，但中国科学家们通过开辟创新路径，在极紫外（EUV）光刻技术领域取得了重大突破。据香港观察人士称，2023年12月30日，哈尔滨工业大学的研究团队在黑龙江省高校科研人员创新成果转化大赛中荣 ...

近期国产光刻机领域的一个重要突破是哈工大官方官宣搞定13.5纳米极紫外光源，但这个消息出来这么久了，美国、ASML与台积电一直保持沉默，但近期新加坡毕盛资产管理创始人王国辉在彭博电视台表态看好 中芯国际 ...

《科创板日报》1月7日讯 尽管目前最先进的光刻机已经可以用于生产2nm芯片，但科学家仍在持续探索以进一步提升光刻机的综合性能，用于产生光源的激光器或成下一个突破口。 近日，据Tom's Hardware报道，美国实验室正在开发一种拍瓦（一种功率单位，表示10^15瓦特）级的大孔径铥（BAT）激光器。据悉，这款激光器拥有将极紫外光刻（EUV）光源效率提高约10倍的能力，或有望取代当前EUV工具中使用 ...

LLNL长期以来一直是EUV光刻技术的开发先驱。 位于加利福尼亚州的一家实验室将为极紫外（EUV）光刻技术的下一次发展奠定基础。该项目由劳伦斯利 ...

近期，日本半导体制造业传来了一则重要消息。据EE Times Japan报道，Rapidus——这家日本的尖端半导体生产商，在SEMICON Japan 2024展览会上，携手IBM展示了其在美国纽约州奥尔巴尼纳米技术综合体成功制造的2纳米全环绕栅极 ...